RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2800
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link