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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

Puntuación global
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Puntuación global
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Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 8.7
    Valor medio en las pruebas
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Informar de un error
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    26 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.6 left arrow 12.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 8.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2174 left arrow 2257

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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