RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2825
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link