ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Puntuación global
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Puntuación global
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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    23 left arrow 26
    En -13% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    18.1 left arrow 12.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.0 left arrow 9.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 12800
    En 1.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    26 left arrow 23
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.6 left arrow 18.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 15.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2174 left arrow 3317
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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