RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Compara
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Puntuación global
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
3564
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link