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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Compara
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Puntuación global
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Puntuación global
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
67
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
1,973.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
67
Velocidad de lectura, GB/s
4,967.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,973.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
776
1798
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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