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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Compara
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Puntuación global
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,034.7
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
48
En -37% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,295.1
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,034.7
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
650
2713
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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