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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Compara
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Puntuación global
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,034.7
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
48
En -30% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,295.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,034.7
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
650
3075
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
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