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Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Compara
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,332.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
5,210.7
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,332.9
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
945
2179
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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