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Corsair CM3X1024-1333C9 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Compara
Corsair CM3X1024-1333C9 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Puntuación global
Corsair CM3X1024-1333C9 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM3X1024-1333C9 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
61
En 44% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM3X1024-1333C9 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
61
Velocidad de lectura, GB/s
10.3
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1613
2025
Corsair CM3X1024-1333C9 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP564U64CP8-C4 512MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
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