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Corsair CM3X2G1600C9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Compara
Corsair CM3X2G1600C9 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Puntuación global
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1889
2513
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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