RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Compara
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Puntuación global
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
28
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
20
28
Velocidad de lectura, GB/s
19.1
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3252
2417
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link