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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Compara
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Puntuación global
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Puntuación global
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
25
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
20
25
Velocidad de lectura, GB/s
19.1
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3252
2620
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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