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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
35
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
20
35
Velocidad de lectura, GB/s
19.1
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3252
2488
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
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