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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
50
En 60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
20
50
Velocidad de lectura, GB/s
19.1
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3252
2512
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
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