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Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
60
En 42% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
60
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2471
2511
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
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Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
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