RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Compara
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
37
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
37
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2782
2356
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link