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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Compara
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2782
2468
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
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