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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Compara
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En -26% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
27
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2782
2173
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
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