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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
38
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
38
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2782
2298
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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