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Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Compara
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
26
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
12.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
20
26
Velocidad de lectura, GB/s
17.3
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2568
4084
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
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