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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
41
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2385
3206
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
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