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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Puntuación global
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2385
2865
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
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