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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
41
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
21
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2385
3427
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
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