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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Puntuación global
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
41
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2385
2854
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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