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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Compara
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Puntuación global
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
46
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
11
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
46
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2385
2481
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
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