RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Compara
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
45
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
45
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2355
2556
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link