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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
39
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2355
3509
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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