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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
39
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2355
3205
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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