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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2355
3379
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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