RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Compara
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
39
En -30% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2355
1832
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link