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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Compara
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
39
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2355
3113
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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