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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
39
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2355
2247
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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