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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Puntuación global
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Puntuación global
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Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.6 left arrow 14.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.8 left arrow 8.6
    Valor medio en las pruebas
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Razones a tener en cuenta
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 39
    En -39% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    39 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.6 left arrow 14.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.8 left arrow 8.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2355 left arrow 2361

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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