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Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
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Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Puntuación global
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.4
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1437
2834
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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