RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Compara
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
2786
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link