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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
3972
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
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