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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
38
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
2988
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
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