RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Compara
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
38
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
4064
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link