RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Compara
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
38
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
21.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
3987
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link