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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Compara
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
3311
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
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