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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
38
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
2969
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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