RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Compara
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
2537
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link