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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
38
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
2830
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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