RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Compara
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
25
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2307
2809
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link