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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
25
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2307
2809
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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