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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
18.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2307
4173
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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