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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Compara
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2307
3049
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
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