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Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Compara
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
42
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2348
2773
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
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Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
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