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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Compara
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Puntuación global
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
46
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
11
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
46
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2021
2481
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
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