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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Puntuación global
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2106
3085
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-015.A00LF 2GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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